Samsung e IBM planejando um desenvolvimento em tecnologia de chip

Em maio de 2021, a Samsung anunciou um desenvolvimento em materiais semicondutores que resultou no desenvolvimento de um dispositivo que pode adiar o “fim” da Lei de Moore e expandir a lacuna de capacidade entre os esforços adjacentes da China e dos EUA no campo de chips de 1 nanômetro.

A conquista foi possível graças a um esforço colaborativo que combina o Instituto de Tecnologia de Massachusetts (MIT), a Universidade Nacional de Taiwan (NTU) e a Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC), a maior fabricante de chips inovadores do mundo. No centro da conquista estava um procedimento que utiliza bismuto semi-metal para permitir a produção de semicondutores com dimensões menores que um nanômetro (nm).

Samsung e IBM planejam um desenvolvimento Na tecnologia de chips, eles alcançaram um avanço significativo na tecnologia de chips semicondutores. As duas empresas introduziram uma nova arquitetura para empilhar transistores verticalmente em um chip durante a conferência IEDM em São Francisco, o que poderia melhorar substancialmente a eficiência energética e o desempenho. Os transistores nas Us e SoCs atuais são planos em uma superfície e a corrente elétrica flui de um lado para o outro. No entanto, com a nova arquitetura Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) da Samsung e IBM, os transistores são empilhados uns sobre os outros e a corrente flui verticalmente.

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Em comparação com a tecnologia existente, a arquitetura VTFET permite uma maior densidade de componentes em um chip. A Lei de Moore afirma que o número de transistores em um circuito integrado denso dobra a cada dois anos. A Samsung e a IBM esperam estender a Lei de Moore além do nível das nanofolhas, desperdiçando menos energia.

Segundo a IBM e a Samsung, essas características aumentarão o desempenho ou usarão 85% menos energia do que os chips criados com transistores FinFET. No entanto, essas duas empresas não são as únicas que experimentam essa tecnologia.

De acordo com a Reuters, a Intel também está testando com processadores em camadas. “Definitivamente, estamos economizando espaço ao empilhar os dispositivos uns sobre os outros”, disse Paul Fischer, diretor e engenheiro-chefe sênior do Grupo de Pesquisa de Componentes da Intel, em entrevista à Reuters. “Estamos encurtando os comprimentos de conexão e economizando muita energia, tornando isso não apenas mais econômico, mas também mais eficiente.” A Intel espera concluir esses dispositivos até 2024, utilizando seu novo nó “Intel 20A” com transistores RibbonFET.

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